[发明专利]一种针对CVD法制备的石墨烯薄膜的转移方法

摘要

本发明公开了一种针对CVD法制备的石墨烯薄膜的转移方法，属于新型材料和半导体工艺技术领域。在石墨烯薄膜表面悬涂作为支撑层的有机胶体或高分子聚合物；对悬涂了有机胶体或高分子聚合物的石墨烯薄膜进行坚膜；将坚膜完毕后的石墨烯薄膜连同底部基片一起浸泡在去离子水中，使金属层和SiO2层分离；将分离后的支撑层/石墨烯薄膜/金属层放入化学腐蚀液中去除金属层；将支撑层/石墨烯薄膜转移到目标衬底上，加热使石墨烯薄膜紧贴所述目标衬底；去除支撑层，实现石墨烯薄膜的转移。与传统的使用BOE溶液腐蚀SiO2层的方法相比，所述方法避免了BOE溶液对金属层的腐蚀，同时也避免了对石墨烯薄膜的污染。

主权项

一种针对CVD法制备的石墨烯薄膜的转移方法，所述CVD法制备的石墨烯薄膜包括石墨烯薄膜层/金属层/SiO2层/Si层，其特征在于：包括以下步骤：在所述石墨烯薄膜表面悬涂作为支撑层的有机胶体或高分子聚合物；对悬涂了有机胶体或高分子聚合物的所述石墨烯薄膜进行坚膜；将所述坚膜完毕后的石墨烯薄膜连同底部基片一起浸泡在去离子水中，使所述金属层和所述SiO2层分离；将所述分离后的支撑层/石墨烯薄膜/金属层放入化学腐蚀液中去除金属层；将所述支撑层/石墨烯薄膜转移到目标衬底上，加热使所述石墨烯薄膜紧贴所述目标衬底；去除所述支撑层，实现所述石墨烯薄膜的转移。