[发明专利]电致激发分子掺杂薄膜层纳腔激光器无效
| 申请号： | 201110129801.4 | 申请日： | 2011-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102231471A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 陈泳屹;秦莉;王立军;宁永强;刘云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S3/06 | 分类号： | H01S3/06;H01S3/16;H01S3/09 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 电致激发分子掺杂薄膜层纳米激光器属于激光器领域，该激光器包括p面电极、衬底、电致发光介质、分子掺杂薄膜层、n面电极和纳米线结构；衬底上面依次生长电致发光介质、分子掺杂薄膜层、n面电极和纳米线结构，衬底下面镀有p面电极。本发明利用金属电极提供表面等离子体，利用金属-低介电常数薄膜层-电致发光介质混合结构形成强局域电场，在绝缘层内掺杂多能级分子，使其受激吸收并且形成跃迁发出光子，其光子直接耦合成为表面等离子体激元并沿着微加工的纳米线金属表面传播和激射，本发明可以有效解决现有电致激发困难、制作工艺难度大、成本高、推广困难等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 激发 分子 掺杂 薄膜 层纳腔 激光器 | ||
【主权项】：
电致激发分子掺杂薄膜层纳腔激光器，其特征在于，该激光器包括p面电极(1)、衬底(2)、电致发光介质(3)、分子掺杂薄膜层(4)、n面电极(5)和纳米线结构(6)；所述衬底(2)上面依次生长电致发光介质(3)、分子掺杂薄膜层(4)、n面电极(5)和纳米线结构(6)，衬底(2)下面镀有p面电极(1)。
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