[发明专利]溶剂热法低温合成氮化硅纳米棒状晶体材料的方法无效
| 申请号： | 201110129167.4 | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102161479A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 赵武;张志勇;冯鹏飞;岳刚;闫军锋;翟春雪 | 申请（专利权）人： | 西北大学 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 李郑建 |
| 地址： | 710069 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了溶剂热法低温合成氮化硅纳米级棒状晶体半导体材料的制备方法：将质量比为0.3：3：8的硅粉、叠氮化钠和碘加入高压反应釜里，用玻璃棒搅拌均匀；将反应釜密封后置于烘箱内，加热至200-250℃后，保持该温度继续加人15小时后自然冷却至室温，收集反应后的产物；对收集的产物依次用无水乙醇、去离子水洗涤、HNO3和HF混合液、蒸馏水洗涤；最后用无水乙醇对产物作脱水处理即得。本发明能够制备出直径为100纳米的纯度高、质量好的氮化硅纳米棒状晶体；实验装置简单，操作方便，且本发明的方法对生长参数的控制等要求宽松，便于实现工业化批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 溶剂 低温 合成 氮化 纳米 晶体 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种溶剂热法低温合成氮化硅纳米棒状晶体材料的方法，其特征在于，具体包括如下步骤：1）将质量比为0.3：3：8的硅粉、叠氮化钠和碘加入高压反应釜里，用玻璃棒搅拌均匀； 2）将高压反应釜密封后置于烘箱内，加热至200‑250℃后，保持该温度继续加人15小时后自然冷却至室温，收集反应后的产物； 3）对收集的产物分别用无水乙醇、去离子水、HNO3和HF的混合液洗涤，再用蒸馏水清洗，即可得到纳米棒状氮化硅晶体。
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