[发明专利]一种硅基张应变衬底结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110124329.5 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102779838A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 孙兵;刘洪刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L21/20;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基张应变衬底结构及其制备方法，属于半导体集成技术领域。所述衬底结构包括单晶硅衬底、缓冲层、组分缓变层、弛豫层和张应变层。缓冲层置于单晶硅衬底之上，组分缓变层置于缓冲层上，弛豫层置于组分缓变层之上，张应变层置于弛豫层之上。本发明可以在该硅基张应变衬底结构上制备高迁移率CMOS器件，具有低成本高性能的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基张 应变 衬底 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基张应变衬底结构，其特征在于，所述衬底结构包括单晶硅衬底、缓冲层、组分缓变层、弛豫层和张应变层，所述缓冲层置于所述单晶硅衬底之上，所述组分缓变层置于所述缓冲层之上，所述弛豫层置于所述组分缓变层之上，所述张应变层置于所述弛豫层之上。
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