[发明专利]一种超厚顶层金属的金属硬掩模双大马士革工艺无效

专利信息
申请号: 201110123665.8 申请日: 2011-05-13
公开(公告)号: CN102412188A 公开(公告)日: 2012-04-11
发明(设计)人: 李磊;胡友存;姬峰;张亮;陈玉文 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 王敏杰
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种半导体制备技术领域,更确切的说,本发明涉及一种超厚顶层金属的金属硬掩模双大马士革工艺。首先在一晶圆基体上淀积通孔介电阻挡层、通孔介电层和通孔金属硬掩模;随后在所述的金属硬掩模上光刻刻蚀打开金属硬掩模形成通孔开口和沟槽阻挡层;再在沟槽阻挡层上淀积沟槽介电层和沟槽金属硬掩模;并且光刻刻蚀沟槽金属硬掩模形成沟槽开口;刻蚀介电层形成沟槽和通孔;于前一步所得的通孔和沟槽上淀积金属阻挡层和铜籽晶层,并电镀铜填满所述的通孔和沟槽;最后进行化学机械研磨平坦化去除多余金属和沟槽金属硬掩模。本发明解决了已有方法通孔刻蚀高深宽比和通孔尺寸控制问题,可降低生产成本,缩短生产周期。
搜索关键词: 一种 顶层 金属 硬掩模双 大马士革 工艺
【主权项】:
一种超厚顶层金属的金属硬掩模双大马士革工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,于一晶圆基体上自下而上分别淀积有通孔介电阻挡层、通孔介电层和通孔金属硬掩模;步骤2,在所述的金属硬掩模上利用光刻刻蚀工艺打开通孔金属硬掩模形成通孔开口和沟槽阻挡层;步骤3,在形成的沟槽阻挡层上依次自下而上淀积沟槽介电层和沟槽金属硬掩模;步骤4,通过光刻刻蚀打开沟槽金属硬掩模形成沟槽开口;步骤5,通过所述的沟槽金属硬掩模沟槽开口刻蚀沟槽介电层形成沟槽,并进一步在通过通孔金属硬掩模通孔开口刻蚀通孔介电层,以形成通孔;步骤6,在所得的沟槽和通孔上淀积金属阻挡层和铜籽晶层,并电镀铜填满所述的通孔和沟槽;步骤7,对所得的材料表面进行化学机械研磨平坦化去除多余金属、及残余的沟槽金属硬掩模。
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