[发明专利]光纤预制棒的制造方法有效

专利信息
申请号: 201110123043.5 申请日: 2011-05-13
公开(公告)号: CN102225843A 公开(公告)日: 2011-10-26
发明(设计)人: 陈伟;李诗愈;莫琦;罗文勇;柯一礼;黄文俊;胡福明 申请(专利权)人: 烽火通信科技股份有限公司
主分类号: C03B37/014 分类号: C03B37/014
代理公司: 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 代理人: 魏殿绅;庞炳良
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种光纤预制棒的制造方法,包括:(1)采用轴向气相沉积VAD工艺制备光纤芯棒;(2)采用等离子化学气相沉积PCVD工艺制备掺氟下陷包层,与(1)中制备的光纤芯棒熔缩成光纤芯棒预制件;(3)采用外部气相沉积OVD工艺制备光纤芯棒预制件的外包层,最终烧结成透明的光纤预制棒;所述光纤芯棒包含包层,光纤芯棒的包层直径与光纤芯棒的芯直径二者比值在3.2~4.6之间;所述掺氟下陷包层起始位置的直径与所述芯直径的比值在3.2~4.6之间,所述掺氟下陷包层的宽度与芯直径的比值在0.24~0.49之间。本方法解决了单模光纤高效规模化生产的关键技术,大幅度提高弯曲不敏感单模光纤预制棒的制造效率,降低生产成本。
搜索关键词: 光纤 预制 制造 方法
【主权项】:
一种光纤预制棒的制造方法,该方法包括以下步骤:(1)采用轴向气相沉积VAD工艺制备光纤芯棒;(2)采用等离子化学气相沉积PCVD工艺制备掺氟下陷包层,与(1)中制备的光纤芯棒熔缩成光纤芯棒预制件;(3)采用外部气相沉积OVD工艺制备光纤芯棒预制件的外包层,最终烧结成透明的光纤预制棒;其特征在于:所述光纤芯棒包含包层,光纤芯棒的包层直径与光纤芯棒的芯直径二者比值在3.2~4.6之间;所述掺氟下陷包层起始位置的直径与所述芯直径的比值在3.2~4.6之间,所述掺氟下陷包层的宽度与芯直径的比值在0.24~0.49之间。
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