[发明专利]一种电子级多晶硅工艺管道洁净度控制施工方法有效
申请号: | 201110122723.5 | 申请日: | 2011-05-12 |
公开(公告)号: | CN102231357A | 公开(公告)日: | 2011-11-02 |
发明(设计)人: | 吴常明;张斌;同春社;秦文敏;王卫东;闫晓辉;马彦;谭克林 | 申请(专利权)人: | 陕西建工集团设备安装工程有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B08B9/032 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 谭文琰 |
地址: | 710068 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种电子级多晶硅工艺管道洁净度控制施工方法,包括以下步骤:一、预制加工;二、管道段组装,且采用内部气体保护装置与氩弧焊焊机完成管道段的组装过程;三、管道段清洗,其过程如下:脱脂清洗、脱脂后水冲洗、络合除锈、漂洗、氨塞冲洗、钝化处理、超纯水冲洗、干燥处理和包封;四、多晶硅工艺管道组装;五、多晶硅工艺管道现场安装;六、工艺管道吹扫、试压及气密性测试。本发明设计合理、操作简便、实现方便且管道洁净度控制效果好,能解决多晶硅工艺管道施工过程中存在的影响管道内部洁净度因素繁多、管道内部洁净度不易控、洁净度控制效果较差等多种问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 电子 多晶 工艺 管道 洁净 控制 施工 方法 | ||
【主权项】:
一种电子级多晶硅工艺管道洁净度控制施工方法,所施工的多晶硅工艺管道由多个管道段拼装组成,相邻两个所述管道段之间以焊接方式进行连接或通过法兰进行连接;所述管道段为一个整体式的管道节段或由多个管道节段拼装组成,所述管道段中相邻两个所述管道节段之间以焊接方式进行连接或通过法兰进行连接,其特征在于该方法包括以下步骤:步骤一、预制加工:根据预先设计的管段图且按常规预制方法,分别对拼装组成所述多晶硅工艺管道的所有管道节段、所述多晶硅工艺管道上安装的所有阀门和所述多晶硅工艺管道上需用的所有法兰进行预制加工;步骤二、管道段组装:对拼装组成所述多晶硅工艺管道的所有管道段分别进行组装:当所组装的管道段为一个整体式的管道节段时,对管道段进行封口保护后,直接进入步骤三;当所组装的管道段由多个管道节段拼装组成时,按预先设计的管段图将组成该管道段的多个管道节段依次连接为一体:当所组装管道段中相邻两个管道节段之间通过法兰进行连接时,按常规多晶硅工艺管道的法兰连接方法进行连接,并同步对连接后的两个管道节段进行封口保护;当所组装管道段中相邻两个管道节段之间以焊接方式进行连接时,其焊接工艺如下:201、焊接坡口处理:将被焊接的两个管道节段的管端焊接面加工处理成V形坡口,且所述V形坡口的角度为55°±5°;202、内部气体保护装置放置及焊口组对:将内部气体保护装置插装入被焊接的两个管道节段连接处,之后再对被焊接的两个管道节段进行焊口组对;所述内部气体保护装置包括圆柱状排气室(1)和由外至内通至圆柱状排气室(1)内的进气管(2),圆柱状排气室(1)包括呈水平向布设且左右两侧均开口的排气圆筒以及密封安装在所述排气圆筒左右两侧开口上的左挡板和右挡板,所述左挡板或右挡板中部开有供进气管(2)安装的进气口,进气管(2)的一端密封安装在所述进气口上,且进气管(2)的另一端与氩气供给设备相接;所述排气圆筒的外径小于被焊接的两个管道节段的内径,且排气圆筒的侧壁上沿圆周方向开有多个排气孔(3),多个所述排气孔(3)呈均匀布设;实际对所述内部气体保护装置进行放置时,所述排气圆筒与被焊接的两个管道节段呈同轴布设,且多个所述排气孔(3)的布设位置与两个管道节段之间的焊接区域正对;203、管道节段内空气置换:启动氩气供给设备且通过所述内部气体保护装置,向被焊接的两个管道节段内连续通入氩气;204、焊接:待步骤203中连续通入氩气4min~7min后,采用氩弧焊焊机对被焊接的两个管道节段进行焊接;且实际焊接过程中,所述氩气供给设备通过内部气体保护装置连续通入氩气,使得焊接过程中能从内外两侧对两个管道节段之间的被焊接区域同时进行氩气保护;205、焊接后持续通入保护气体:焊接完成后,所述氩气供给设备通过所述内部气体保护装置,持续向已焊接完成的两个管道节段内通入氩气且持续通气时间为2min~5min;206、焊后封口保护:取出所述内部气体保护装置,并对已焊接完成的两个管道节段进行封口保护;步骤203、步骤204和步骤205中,所述氩气供给设备通入氩气的气流量均为20L/min~25L/min;步骤三、管道段清洗,对步骤二中组装完成的多个管道段分别进行清洗,多个所述管道段的清洗方法均相同且其清洗过程如下:301、脱脂清洗:采用金属脱脂清洗剂,且按金属管道的常规脱脂清洗方法进行脱脂清洗;302、脱脂后水冲洗:采用自来水进行冲洗;303、络合除锈:采用络合清洗剂进行除锈清洗;304、漂洗:采用漂洗剂进行漂洗;305、氨塞冲洗:采用氨水溶液且在55℃~60℃温度条件下进行冲洗;306、钝化处理:采用双氧水溶液且在80℃~90℃温度条件下进行钝化处理;307、超纯水冲洗:用电阻率不大于12MΩ·cm的超纯水进行冲洗;308、干燥处理:采用压缩空气干燥设备,且按常规压缩空气干燥处理方法进行干燥处理;309、包封:干燥处理后,进行封口保护;步骤四、多晶硅工艺管道组装:按预先设计的管段图,将拼装组成多晶硅工艺管道的多个管道段依次连接为一体;当相邻两个管道段之间通过法兰进行连接时,按照常规多晶硅工艺管道的法兰连接方法对两个管道段进行连接,并同步对连接后的两个管道段进行封口保护;而当相邻两个管道段之间以焊接方式进行连接时,按照步骤201至步骤206所述的焊接方法,对相邻两个管道段进行焊接;步骤五、多晶硅工艺管道现场安装:对步骤四中组装完成的多晶硅工艺管道进行现场安装,且安装过程中同步对多晶硅工艺管道上需安装的阀门和仪表进行安装;步骤六、工艺管道吹扫、试压及气密性测试:按照常规多晶硅工艺管道现场安装结束后的后续处理方法,对步骤五中已安装完成的多晶硅工艺管道进行吹扫、试压及气密性测试。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造