[发明专利]N沟道积累型SiC IEMOSFET器件及制备方法有效
| 申请号： | 201110122219.5 | 申请日： | 2011-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN102184964A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 汤晓燕;张超;张玉明;张义门;杨飞;王文 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/20;H01L21/265 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N沟道积累型SiC IEMOSFET器件及制作方法，主要解决现有技术中SiC IEMOSFET器件沟道电子迁移率低，导体电阻大的问题。其技术特点是：在已有的SiC IEMOSFET器件结构的基础上将注入形成的导电沟道层改为由外延形成的厚度为0.1μm～0.2μm，氮离子掺杂浓度为4×1016cm-3的N-外延积累层(6′)，该外延积累层(6′)横向位于左源区N+接触(4a)与右源区N+接触(4b)之间，纵向位于隔离介质(2)和JFET区域(8)之间。本发明具有沟道电子迁移率高，导通电阻低，功耗低的优点，可应用于汽车电子、电脑和通讯等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 积累 sic iemosfet 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种N沟道积累型IEMOSFET器件，自上而下包括栅极(1)、SiO2隔离介质(2)、源极(3)、源区N+接触(4)、P+接触(5)、P‑外延层(7)、JFET区域(8)、P阱(9)、N‑漂移层(10)、N+衬底(11)和漏极(12)，其特征在于：在SiO2隔离介质(2)与JFET区域(8)之间设有N‑外延积累层(6′)，以保证器件在工作状态下的导电沟道深度，减少表面散射对迁移率的影响。
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