[发明专利]一种SiC晶须强化的SiC陶瓷基复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110122040.X | 申请日： | 2011-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN102161594A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 高明霞;朱丹;潘颐;潘洪革;刘永锋;巫红燕 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C04B35/81 | 分类号： | C04B35/81;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人： | 王从友 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于陶瓷基复合材料的制备领域，尤其涉及一种SiC晶须强化的SiC陶瓷基复合材料及其制备方法。一种SiC晶须强化的SiC陶瓷基复合材料，复合材料由预制件通过Si或Si合金熔渗反应制备得到，所述的预制件由包括稻壳SiC晶须化产物的原料模压成型制得。该复合材料方法制备工艺简单，熔渗反应温度低，无需外加压力，预制件可制成复杂形状，可用于制备复杂形状的构件。复合材料的主要组成相SiC来源于稻壳，原料丰富、成本低，可显著降低陶瓷基复合材料的制造成本、节省资源和保护环境。所制备的SiC陶瓷基复合材料性能优良，SiC晶须对材料起到增强作用，可用于SiC反应烧结陶瓷材料制品的适用场合，如滑动轴承、耐腐蚀、耐磨损的管道、阀门、风机叶片和军、民用防弹衣等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 强化 陶瓷 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC晶须强化的SiC陶瓷基复合材料，其特征在于该复合材料由预制件通过Si或Si合金熔渗反应制备得到，所述的预制件由包括稻壳SiC晶须化产物的原料模压成型制得。
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