[发明专利]一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法有效
申请号: | 201110121051.6 | 申请日: | 2011-05-11 |
公开(公告)号: | CN102280456A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 马盛林;朱蕴晖;孙新;金玉丰;陈兢;缪旻 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;G01J5/20;H01L31/18 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人: | 余长江 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法,属于半导体制造领域。本结构包括:包括第一硅晶圆、第二硅晶圆,第一硅晶圆第二表面上设有红外敏感元件阵列和焊盘、第一表面上设有若干第一电接触元件,第一硅晶圆上设有若干第一硅通孔微互连、若干第二硅通孔微互连,红外敏感元件阵列通过第一硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接,焊盘通过第二硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接;第二硅晶圆第一表面上设有红外敏感元件阵列的信号处理电路和与信号处理电路电连接的若干第二电接触元件;第一电接触元件与第二电接触元件分别对应电连接。本发明降低了热干扰,提高非制冷红外焦平面阵列探测器稳定性、可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外 平面 阵列 探测器 集成 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
一种红外焦平面阵列探测器集成结构,其特征在于包括第一硅晶圆、第二硅晶圆,所述第一硅晶圆、第二硅晶圆分别具有相对的第一表面和第二表面;所述第一硅晶圆第二表面上设有红外敏感元件阵列和焊盘、第一表面上设有若干第一电接触元件,所述第一硅晶圆上设有若干第一硅通孔微互连、若干第二硅通孔微互连,所述红外敏感元件阵列通过所述第一硅通孔微互连与对应所述第一电接触元件电连接,所述焊盘通过所述第二硅通孔微互连与对应所述第一电接触元件电连接;所述第二硅晶圆第一表面上设有所述红外敏感元件阵列的信号处理电路和与所述信号处理电路电连接的若干第二电接触元件;所述第一电接触元件与所述第二电接触元件分别对应电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110121051.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的