[发明专利]一种气压烧结氮化硅陶瓷的方法无效
| 申请号： | 201110120112.7 | 申请日： | 2011-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102190498A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 陈海*;安晓宁 | 申请（专利权）人： | 上海海事大学;四川德诚金谷硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/63;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 陈逸良 |
| 地址： | 200135 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种气压烧结生产的氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述氮化硅陶瓷原材料各组分及质量百分比含量为：氧化镧4～6％，镁阿隆2～3％，氮化硅91％～94％，上述各组分的粒径分别为：氧化镧1～3μm，镁阿隆2～5μm，氮化硅0.4～0.7μm，将上述各组分混合制坯，将所得坯体在氮气氛围下烧结。由于本发明以氧化镧和镁阿隆作为添加剂，降低了生产成本，而气压烧结的技术方案的采用使得本发明能够生产形状复杂的陶瓷结构件。本发明的生产方法简单，易实现产业化生产，而且生产的氮化硅陶瓷致密程度高，力学性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气压 烧结 氮化 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
一种气压烧结生产的氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述氮化硅陶瓷原材料各组分及质量百分比含量为：氧化镧4～6％，镁阿隆2～3％，氮化硅91％～94％，上述各组分的粒径分别为：氧化镧1～3μm，镁阿隆2～5μm，氮化硅0.4～0.7μm，将上述各组分混合制坯，将所得坯体在氮气氛围下烧结。
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