[发明专利]在ABS处具有电流约束的三层读取器有效
| 申请号： | 201110115828.8 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102298932A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | D·V·季米特洛夫;宋电;M·W·科温顿;J·韦塞尔 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/187 | 分类号： | G11B5/187 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在ABS处具有电流约束的三层读取器。描述了一种敏感度和稳定性都得到改进的磁阻读取传感器。该传感器是位于两个电极之间的三层堆栈。该三层堆栈具有由非磁性层间隔的两层自由层以及位于堆栈后与空气承载表面分离距离为条带高度的偏置磁体。传感器中的电流被绝缘层约束到接近空气承载表面的区域，从而使得读取器敏感度得到增强。 | ||
| 搜索关键词： | abs 具有 电流 约束 三层 读取器 | ||
【主权项】：
一种磁阻传感器，包括：第一和第二电极；位于所述电极之间的三层堆栈，所述堆栈包括由非磁性层分离的第一铁磁层和第二铁磁层；与所述三层堆栈的后端相邻的后偏置磁体；以及位于所述三层堆栈与第一和第二电极中的至少一个电极之间的绝缘层，所述绝缘层部分地覆盖所述三层堆栈，从而使得所述电极之间经过的电流在经过所述三层堆栈时被约束到空气承载表面附近。
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