[发明专利]提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管有效
| 申请号： | 201110115323.1 | 申请日： | 2011-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN102185056A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 马平;王军喜;魏学成;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种提高电子注入效率的氮化镓系发光二极管，其包括：一衬底；一氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层制作在氮化镓成核层上；一n型接触层制作在缓冲层上，在该n型接触层的上面的一侧形成一台面；一下多周期n型电子耦合层制作在n型接触层上台面另一侧的上面；一下隧穿势垒层制作在下多周期n型电子耦合层上；一上多周期n型电子耦合层制作在下隧穿势垒层上；一上隧穿势垒层制作在上多周期n型电子耦合层上；一多周期活性发光层制作在上隧穿势垒层上；一负电极制作在n型接触层的台面上；一p型电子阻挡层制作在多周期活性发光层上；一p型接触层制作在p型电子阻挡层上；一正电极制作在p型接触层上，形成氮化镓系发光二极管的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 电子 注入 效率 氮化 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种提高电子注入效率的氮化镓系发光二极管，其包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层，该缓冲层制作在氮化镓成核层上；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层上，在该n型接触层的上面的一侧形成一台面，该n型接触层由n型氮化镓构成；一下多周期n型电子耦合层，该下多周期n型电子耦合层制作在n型接触层上台面另一侧的上面；一下隧穿势垒层，该下隧穿势垒层制作在下多周期n型电子耦合层上；一上多周期n型电子耦合层，该上多周期n型电子耦合层制作在下隧穿势垒层上；一上隧穿势垒层，该上隧穿势垒层制作在上多周期n型电子耦合层上；一多周期活性发光层，该活性发光层制作在上隧穿势垒层上；一负电极，该负电极制作在n型接触层的台面上；一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在多周期活性发光层上；一p型接触层，该p型接触层制作在p型电子阻挡层上，该p型接触层由p型氮化镓构成；一正电极，该正电极制作在p型接触层上，形成氮化镓系发光二极管的结构。
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