[发明专利]一种沟槽超结MOS结构半导体装置及其制备方法无效
| 申请号： | 201110114219.0 | 申请日： | 2011-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102769035A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市下*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽超结MOS结构半导体装置，还涉及一种沟槽超结MOS结构半导体装置的制备方法；本发明将超结结构设置在沟槽之间的半导体材料中，简化了超结结构的制造流程；本发明是制造的功率MOSFET器件和超级势垒整流器的基础结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mos 结构 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽超结MOS结构半导体装置，包括：第一导电类型半导体材料表面设置有多个沟槽；沟槽内下部设置有绝缘介质，沟槽内上部的侧壁和绝缘介质表面设置有钝化层，沟槽内上部填充有栅极介质；沟槽之间半导体材料设置有第二导电类型半导体材料体区；在体区内上部临靠沟槽设置有第一导电类型半导体材料源区；在体区内下部临靠沟槽设置有第一导电类型半导体材料超结漏区，超结漏区与源区之间为第二导电类型半导体材料体区，超结漏区与体区下部第一导电类型半导体材料形成的漏区相连；超结漏区和体区下部形成超结结构，其位于沟槽之间的半导体材料中。
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