[发明专利]包括两个导电屏蔽元件的半导体晶体管有效
| 申请号： | 201110112954.8 | 申请日： | 2011-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102237410A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·J·C·H·首文 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种半导体晶体管，其包括半导体衬底(111)，在所述半导体衬底上提供沟道区(115)和连接到沟道区的漏极延伸区(119)；配置为提供影响沟道区的电场的栅极电极(127)；第一导电屏蔽元件(131)，其沿与半导体衬底的主表面平行的水平方向延伸并布置在栅极电极旁边沿与所述水平方向垂直的垂直方向(105)与所述漏极延伸区分开；和第二导电屏蔽元件(133)，其布置为沿垂直方向与第一导电屏蔽元件分开，其中栅极电极沿垂直方向突出于第一屏蔽元件。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 两个 导电 屏蔽 元件 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体晶体管，包括：半导体衬底(111)，在所述半导体衬底中提供沟道区(115)和连接到沟道区的漏极延伸区(119)；栅极电极(127)，其配置为提供影响沟道区的电场；第一导电屏蔽元件(131)，其沿与半导体衬底的主表面平行的水平方向延伸，并且布置在栅极电极一旁沿与所述水平方向垂直的垂直方向(105)与所述漏极延伸区分开；和第二导电屏蔽元件(133)，其布置为沿垂直方向与第一导电屏蔽元件分开，其中栅极电极沿垂直方向突出于第一屏蔽元件。
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