[发明专利]一种氮化物LED结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110112531.6 | 申请日： | 2011-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102157647A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 于洪波;肖德元;程蒙召;张汝京 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物LED结构，其多量子阱有源层中的部分量子阱的势垒进行了P型掺杂，利用势阱与势垒组成的异质结结构具有的极化效应，可提高空穴浓度，降低P型空穴注入层的掺杂浓度，从而减少了掺杂原子向量子阱中扩散，提高了器件的内量子效率和发光效率；同时，还公开了一种氮化物LED结构的制备方法，通过选择性地对部分势垒进行P型掺杂，提高了空穴浓度，降低了P型空穴注入层的掺杂浓度；并且量子阱的势阱与势垒组成的结构具有极化效应，提高了势垒的掺杂效率，降低了势垒掺杂的杂质浓度；从而提高了器件的内量子效率和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 led 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物LED结构，至少包括N型电子注入层、P型空穴注入层以及夹在所述N型电子注入层与所述P型空穴注入层之间的多量子阱有源层，所述N型电子注入层的禁带宽度、P型空穴注入层的禁带宽度以及多量子阱有源层中的量子阱的势垒的禁带宽度均大于所述多量子阱有源层中的量子阱的势阱的禁带宽度，其特征在于，所述多量子阱有源层中的部分量子阱的势垒进行了P型掺杂。
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