[发明专利]一种二氧化钒智能控温薄膜及方法无效
| 申请号： | 201110112493.4 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102249552A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 黄富强;李德增;丁尚军;赵伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23;C04B41/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二氧化钒智能控温薄膜及制备方法，本发明采用湿化学溶液法，将五氧化二钒粉体在弱还原性有机溶剂中均匀分散并溶解，通过添加PVP或PEG和金属盐，然后制备掺杂的VOx薄膜(2.0＜x＜2.5)，经过热处理形成掺杂的多孔二氧化钒(VO2)薄膜。在较佳实施例中，在五氧化二钒粉体、苯甲醇和异丙醇体系中通过添加聚乙烯吡咯烷酮和钨盐制备钨掺杂VOx薄膜，然后在氢/氩气氛410℃条件下退火3小时，制备钨掺杂多孔二氧化钒薄膜，其金属-绝缘体相变温度可根据钨的掺杂量在30-68℃之间进行调控，可见光区透过率为70％，波长2500nm处相变前后透光率差为62％，电阻率改变3-4个数量级，具备了较高的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 智能 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化钒智能控温薄膜，其特征在于所述的薄膜为掺杂的多孔二氧化钒薄膜，掺杂的金属为W、Mo、Ti、Al或Mg，多孔是由PVP或PEG的引入形成的。
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