[发明专利]一种超材料单元结构的绘制方法有效
| 申请号： | 201110112010.0 | 申请日： | 2011-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN102768689A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;栾琳;刘斌;何振明;季春霖 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超材料单元晶格的绘制方法，方法包括以下步骤：初始化超材料的可用区域，确定可用区域的中心点以及可用区域的边界；以中心点为坐标原点依次对称绘制预设尺寸的单元晶格直至绘制的多个单元晶格充满可用区域且可用区域内的单元晶格未超出边界。本发明通过确定可用区域的中心点以及可用区域的边界，以所述中心点为坐标原点依次对称绘制预设尺寸的单元晶格，大大的提高了单元晶格绘制的效率，降低了超材料单元结构设计的复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 单元 结构 绘制 方法 | ||
【主权项】：
一种超材料单元晶格的绘制方法，其特征在于，包括以下步骤：初始化超材料的可用区域，确定所述可用区域的中心点以及所述可用区域的边界；以所述中心点为坐标原点依次对称绘制预设尺寸的单元晶格直至绘制的多个单元晶格充满所述可用区域且所述可用区域内的单元晶格未超出所述边界。
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