[发明专利]发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201110110761.9 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102760799A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底;在所述基底一表面设置一碳纳米管层；在设置有碳纳米管层的基底表面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；在所述第二半导体层表面设置一上电极；去除所述基底，使所述碳纳米管层暴露；在所述碳纳米管层表面设置一下电极。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在所述基底的一表面设置一碳纳米管层；在设置有碳纳米管层的基底表面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层，所述第一半导体层覆盖所述碳纳米管层；在所述第二半导体层表面设置一上电极；去除所述基底；在所述第一半导体层表面设置一下电极。
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