[发明专利]非制冷红外焦平面阵列探测器单片集成结构及制作方法有效
申请号: | 201110105424.0 | 申请日: | 2011-04-26 |
公开(公告)号: | CN102214662A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 马盛林;孙新;朱蕴晖;金玉丰;缪旻;陈兢 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;G01J5/22;H01L31/18 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人: | 余长江 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了非制冷红外焦平面阵列探测器单片集成结构及制作方法,属于半导体制造领域。本结构包括硅晶圆,硅晶圆具有相对的第一表面和第二表面;硅晶圆第一表面上设有红外焦平面敏感元件阵列,第二表面上设有红外焦平面敏感元件阵列的信号处理电路,硅晶圆上设有硅通孔微互连,红外焦平面敏感元件阵列通过硅通孔微互连与信号处理电路电连接。与现有技术相比,本发明实现了红外敏感元件阵列与其信号处理电路的有效热隔离,降低红外敏感元件阵列传导到其信号处理电路的热量,提高了信号处理电路的性能与可靠性。 | ||
搜索关键词: | 制冷 红外 平面 阵列 探测器 单片 集成 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
一种非制冷红外焦平面阵列探测器单片集成结构,包括硅晶圆,所述硅晶圆具有相对的第一表面和第二表面;其特征在于,所述硅晶圆第一表面上设有红外焦平面敏感元件阵列,所述硅晶圆第二表面上设有所述红外焦平面敏感元件阵列的信号处理电路,所述硅晶圆上设有硅通孔微互连,所述红外焦平面敏感元件阵列通过所述硅通孔微互连与所述信号处理电路电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的