[发明专利]一种N型晶体硅太阳电池的硼扩散方法有效
| 申请号： | 201110103902.4 | 申请日： | 2011-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102191562A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 杨智;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 |
| 主分类号： | C30B31/08 | 分类号： | C30B31/08 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型晶体硅太阳电池的硼扩散方法，包括如下步骤：将制绒清洗后的N型硅片在氮气气氛中进行热处理，接着升温并通硼源进行扩散；扩散完成后降温并通氮气完成扩散过程。本发明的扩散方法可以显著提升N型硅片表面硼浓度，避免了后续金属化烧结的困难，有利于提升整个N型晶体硅太阳电池的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种N型晶体硅太阳电池的硼扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将制绒清洗后的N型硅片在750~900℃、氮气气氛中进行热处理，氮气流量为5~8L/min；(2) 升温至1000~1100℃，通硼源进行扩散，氮气流量为10~15L/min，氧气流量为0.1~1L/min，BBr3流量为1~10L/min；(3) 降温至750~800℃，通氮气完成扩散过程，氮气流量为5~10L/min。
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