[发明专利]一种三氧化钼纳米片及其制备方法无效
| 申请号： | 201110103848.3 | 申请日： | 2011-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102153142A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈德良;张锐;刘敏娜;李涛;尹莉;张毅;韩倩斐 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | C01G39/02 | 分类号： | C01G39/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 时立新 |
| 地址： | 450001 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料加工技术领域，具体涉及一种基于插层化学技术的三氧化钼纳米片及其制备方法，三氧化钼纳米片呈蓬松状，三氧化钼纳米片的面积为(600―1000)nm×(600―1000)nm，表观厚度为10-30nm。本发明所制备的三氧化钼纳米片，具有高结晶度、高分散性的特点，纳米片的形貌规则、粒度均匀性易控制，本发明的制备方法具有效率高、成本低、重复性好、生产规模大、产品性能优异的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钼 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三氧化钼纳米片，其特征在于：三氧化钼纳米片呈蓬松状，三氧化钼纳米片的面积为(600―1000) nm × (600―1000) nm，表观厚度为10‑30nm。
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