[发明专利]磁电阻效应元件和使用它的磁电阻随机存取存储器

摘要

本发明涉及磁电阻效应元件和使用它的磁电阻随机存取存储器。磁电阻效应元件包括：第一磁性层(3)，第二磁性层(2)和第一隔离层(4)。第一磁性层(3)具有不变的磁化方向。第二磁性层(2)具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn中选择的至少一种元素。隔离层(4)在第一磁性层(3)和第二磁性层(2)之间形成，并且由非磁性材料构成。流经第一磁性层(3)、隔离层(4)和第二磁性层(2)的双向电流使得第二磁性层(2)的磁化方向可变。

主权项

一种磁电阻效应元件，其特征在于包括：第一磁性层，具有不变的磁化方向；第二磁性层，具有可变的磁化方向，并且由包含大于等于30at％且小于等于70at％的Mn的MnAl合金构成，第二磁性层包含铁磁材料和亚铁磁材料中的一种，由MnAl构成的第二磁性层包含从Fe、Co和Ni组成的组中选择的至少一种元素，其相对于Mn元素的原子组成比率不超过1；以及第一隔离层，在第一磁性层和第二磁性层之间形成，并且由非磁性材料构成，其中流经第一磁性层、第一隔离层和第二磁性层的双向电流使得第二磁性层的磁化方向可变。