[发明专利]纳米颗粒复合相变材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110102736.6 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102241168A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张科;王阳;黄欢;吴谊群 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | B32B9/04 | 分类号： | B32B9/04;C09K5/06 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种纳米颗粒复合相变材料及其制备方法，该材料的构成自下而上依次包括：衬底层、第二相层、相变层和保护层，所述的衬底层是厚度为3.0mm的Si片或K9玻璃片，所述的第二相层是厚度为10～100nm的Si或Ge或SbTe或Sb薄膜，所述的相变层是厚度为10～100nm的GeSbTe或AgInSbTe相变材料薄膜，所述的保护层是厚度为10～20nm的SiN或ZnS-SiO2薄膜，所述的第二相层和相变层在激光辐照的作用下形成复合相变层。本发明材料具有较高的晶化速度。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 颗粒 复合 相变 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米颗粒复合相变材料，特征在于其构成是自下而上依次包括：衬底层(4)、第二相层(3)、相变层(2)和保护层(1)，所述的衬底层是厚度为3.0mm的Si片或K9玻璃片，所述的第二相层(3)是厚度为40～70nm的Si或Ge或SbTe或Sb薄膜，所述的相变层(2)是厚度为45～100nm的GeSbTe或AgInSbTe相变材料薄膜，所述的保护层(1)是厚度为10～20nm的SiN或ZnS SiO2薄膜，所述的第二相层(3)和相变层(2)在激光辐照的作用下形成复合相变层。
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