[发明专利]一种硅衬底上半极性、非极性GaN复合衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201110101683.6 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102208497A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 张佰君;向鹏 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C30B25/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅衬底上半极性、非极性GaN复合衬底的制备方法。首先在不以（111）晶面为表面的Si衬底上用掩膜保护与湿法刻蚀的方法形成沟槽，暴露出Si{111}晶面中的一个或数个；然后用金属有机化学气象沉积法在Si衬底上生长一薄层半极性或非极性GaN，形成籽晶层；再用氢化物气相外延法继续生长GaN厚膜，形成表面平整，高晶体质量的半极性、非极性GaN复合衬底。本发明促进了不同沟槽间GaN的愈合，减少了愈合处的位错，克服了现有技术沟槽处愈合困难，愈合处位错密度大的缺点，具有更好的晶体质量与表面平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 上半 极性 gan 复合 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅衬底上半极性、非极性GaN复合衬底的制备方法，其特征在于：依次进行下列步骤：步骤1：用掩膜保护与湿法刻蚀的方法在不以(111)晶面为表面的Si衬底上形成沟槽，暴露出Si{111}晶面中的一个或数个；步骤2：用金属有机化学气象沉积法在Si衬底上依次生长A1N缓冲层(4)、GaN层(5)、应力调控层(6)，形成半极性或非极性GaN生长的籽晶层；步骤3：用氢化物气相外延法继续生长GaN厚膜(7)，形成半极性、非极性GaN复合衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110101683.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
