[发明专利]固体样品在基质辅助激光解析质谱仪中的检测方法无效

专利信息
申请号: 201110097735.7 申请日: 2011-04-18
公开(公告)号: CN102253109A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 林志为;谢兆雄 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: G01N27/64 分类号: G01N27/64
代理公司: 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 固体样品在基质辅助激光解析质谱仪中的检测方法,涉及一种固体样品检测方法。提供一种操作简便,通用性强,可弥补难溶样品和复杂样品难以检测分子质量的不足,同时是在基质辅助激光解析质谱仪中测定配位化合物的固体样品在基质辅助激光解析质谱仪中的检测方法。将固体样品粉末填满设在微测板样品靶上的圆孔内,使固体样品粉末表面与靶面平齐,除去圆孔周边的散状颗粒,将微测板样品靶放入离子源室内,抽真空至(1~5)×10-6mbar,设置电压Ion Source1为17~21kV,Ion Source2为15~19kV,lens 9~10kV,调节激光大小,采集图谱,完成固体样品在基质辅助激光解析质谱仪中的检测。
搜索关键词: 固体 样品 基质 辅助 激光 解析 质谱仪 中的 检测 方法
【主权项】:
固体样品在基质辅助激光解析质谱仪中的检测方法,其特征在于其具体步骤如下:将固体样品粉末填满设在微测板样品靶上的圆孔内,使固体样品粉末表面与靶面平齐,除去圆孔周边的散状颗粒,将微测板样品靶放入离子源室内,抽真空至(1~5)×10‑6mbar,设置电压Ion Source1为17~21kV,Ion Source2为15~19kV,lens 9~10kV,调节激光大小,采集图谱,完成固体样品在基质辅助激光解析质谱仪中的检测。
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