[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110097468.3 | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102456743A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 金正晥;朴正根;张宰赫 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 罗正云;王琦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括：基板；在所述基板上的栅电极；覆盖所述栅电极的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上的与所述栅电极相对应的半导体层；覆盖所述半导体层和所述栅极绝缘层的保护层，具有使所述半导体层的部分露出的源极接触孔和漏极接触孔；和在所述保护层上的源电极和漏电极，分别通过所述源极接触孔和所述漏极接触孔连接到所述半导体层，其中所述半导体层在与所述保护层的源极接触孔相对应的部分处具有源极偏移槽。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：基板；在所述基板上的栅电极；覆盖所述栅电极的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上的与所述栅电极相对应的半导体层；覆盖所述半导体层和所述栅极绝缘层的保护层，具有使所述半导体层的部分露出的源极接触孔和漏极接触孔；和在所述保护层上的源电极和漏电极，分别通过所述源极接触孔和所述漏极接触孔连接到所述半导体层，其中所述半导体层在与所述保护层的所述源极接触孔相对应的部分处具有源极偏移槽。
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