[发明专利]用于磁控溅射装置中的环状阴极有效
申请号: | 201110096949.2 | 申请日: | 2011-04-18 |
公开(公告)号: | CN102220561A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 乔治·J·欧肯法斯 | 申请(专利权)人: | JDS尤尼弗思公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郑小粤 |
地址: | 美国加利福尼亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及包括大环状阴极的磁控溅射装置,该环状阴极具有限定的内径。环状阴极的位置相对于行星驱动系统的中心点偏移。阳极或反应气体源可位于环状阴极的内径内。通过在阴极处的抑制电弧形成的较低的功率密度来获得较低的缺陷率,同时通过阴极将流失量最小化到行星几何结构而不使用掩模。 | ||
搜索关键词: | 用于 磁控溅射 装置 中的 环状 阴极 | ||
【主权项】:
一种磁控溅射装置,包括:行星驱动系统,其具有用于主旋转的中央旋转轴C,并支持多个行星,每个行星具有在行星中心点Cs处的次级旋转轴,且所述每个行星代表由行星半径rw描述的镀膜区域,所述行星驱动系统具有从所述中央旋转轴C到所述行星中心点Cs的托架半径rC;环状阴极,其包括环状靶,所述环状靶包括用于形成镀层的材料,所述阴极具有中心点Cc,大于所述行星半径的外径r2,r2>rW,和大于所述外径的四分之一的内径r1,r2>r1>1/4*r2;其中所述阴极中心点Cc被设置在离所述中央旋转轴C的偏移距离rT处,所述偏移距离rT在所述托架半径rC的2/3和4/3之间,2/3*rC<rT<4/3*rC;以及所述偏移距离rT大于所述阴极的外径的一半,rT>1/2*r2;以及其中垂直地从靶表面到行星表面的抛距h在所述阴极的外径r2的三分之一和所述阴极的外径的一倍之间,1/3*r2<h<r2;室,其用于容纳所述阴极和所述行星驱动系统,适合于在操作中被排空;以及气体输送系统,其用于将溅射气体流提供到所述室中。
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