[发明专利]一种基于半导体填充金属波导结构的慢波结构无效
| 申请号： | 201110096079.9 | 申请日： | 2011-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102184826A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 何金龙;李向军;汪伟;洪治 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | H01J23/24 | 分类号： | H01J23/24 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于半导体填充的金属波导的慢波结构，包括均匀金属空芯波导管壁、空气隙以及填充锥形高折射率半导体介质条。本发明利用电磁波在高折射率半导体填充的波导结构传输时，空气间隙中能流方向与介质中能流方向相反的这种反常特性，通过合理选择波导结构参数使不同频率的电磁波在波导的相应部位实现空气中和半导体中平均能流值相近，从而电磁具有极低群速度。当电磁波入射到端口中沿波导传输时，其群速度逐渐降低、电磁波能量逐渐增强，直至与频率相应的特定部分，由于不同频率能达到的波导部分不同，这种结构同时实现了电磁波的分频、场约束及增强效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 半导体 填充 金属 波导 结构 | ||
【主权项】：
一种基于半导体填充金属波导结构的慢波结构，其特征在于，它包括金属波导管壁（1）和金属波导管中的填充的锥形高折射率半导体介质（3）。
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