[发明专利]光波导的外延制备方法有效
| 申请号： | 201110094997.8 | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102213795A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李冰;李小刚;王浙辉 | 申请（专利权）人： | 上海圭光科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 龚燮英 |
| 地址： | 200433 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了光波导的外延制备方法，包括在所述脊上沉积硅岛。在一些实施例中，硅岛的制作可以采用选择性外延方法或常规外延方法。在一些实施例中，第二个硅岛在第一硅岛上沉积。在一些实施例中，多个硅岛分别采用不同的方法制作。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光波导的外延制备方法，包括：一个带脊的硅片；在所述硅片上沉积氧化层，所述氧化层覆盖了所述脊；去除所述氧化层的一部分，从而在所述脊上形成一个窗口，所述窗口比所述脊更宽；用选择性外延方法在所述窗口内、所述脊上沉积硅层，所述硅层构成位于所述脊上的第一硅岛的母体；对所述硅层加工成形，得到所述第一硅岛。
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