[发明专利]干刻蚀方法和干刻蚀设备无效
| 申请号： | 201110092994.0 | 申请日： | 2011-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102222612A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 高桥秀治;进藤春雄 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社;学校法人东海大学 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种干刻蚀方法和干刻蚀设备，该干刻蚀方法包括步骤：将处理气体供给真空容器的内部，并且将用于等离子体产生的高频电源供给布置在所述真空容器中的等离子体产生单元的电极，以便产生等离子体；和对衬底施加高频偏压以便执行衬底的刻蚀，所述衬底是待刻蚀部件，其中，所述刻蚀是这样执行的：通过采取使用了用于偏压的高频电源和用于偏压的直流电源的布置以便施加其中叠加了高频电压和直流电压的衬底偏压，来将其中衬底偏压的自偏压Vdc不小于0伏特的高频偏压从这些电源经由变压器施加到所述衬底，与此同时执行所述刻蚀，其中所述用于偏压的高频电源被变压器耦合到所述衬底，并且所述用于偏压的直流电源被串联连接到变压器的次级侧。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种干刻蚀方法，包括步骤：将处理气体供给真空容器的内部，并且将用于等离子体产生的高频电源供给布置在所述真空容器中的等离子体产生单元的电极，以便产生等离子体；和对衬底施加高频偏压以便执行衬底的刻蚀，所述衬底是待刻蚀部件，其中，所述刻蚀是这样执行的：通过采取使用了用于偏压的高频电源和用于偏压的直流电源的布置以便施加其中叠加了高频电压和直流电压的衬底偏压，来将其中衬底偏压的自偏压Vdc不小于0伏特的高频偏压从这些电源经由变压器施加到所述衬底，与此同时执行所述刻蚀，其中所述用于偏压的高频电源被变压器耦合到所述衬底，并且所述用于偏压的直流电源被串联连接到变压器的次级侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社;学校法人东海大学，未经富士胶片株式会社;学校法人东海大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110092994.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
