[发明专利]一种单晶硅太阳能电池绒面的制备方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅太阳能电池绒面的制备方法，包括如下步骤：(1)硅片的清洗；(2)将清洗好的硅片放入双频容性耦合等离子体设备中进行刻蚀，得到纳米柱状的绒面结构；(3)冷却，取出硅片；所述步骤(2)中，刻蚀气体为C2F6和Ar2的混合气体，流量分别为5~10sccm和0.4~0.5sccm；本底真空为2~3×10-3Pa；工作气压为20~30Pa；高频频率和功率为60MHz，300w，低频频率和功率为2MHz，250w，刻蚀时间为10~15min。本发明得到了呈纳米柱状结构的单晶硅太阳能电池绒面结构，该绒面结构可以将光线反射损失低于9%，具有意想不到的效果。

主权项

一种单晶硅太阳能电池绒面的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 硅片的清洗：先用碱性过氧化氢溶液清洗，然后用去离子水清洗，接着用酸性过氧化氢溶液清洗，再用去离子水清洗；(2) 将清洗好的硅片放入双频容性耦合等离子体设备中进行刻蚀，得到纳米柱状的绒面结构；(3) 冷却，取出硅片；所述步骤(2)中，刻蚀气体为C2F6和Ar2的混合气体，流量分别为8~12 sccm和0.4~0.6 sccm；本底真空为2~3×10‑3Pa；工作气压为25~35Pa；高频频率和功率为60MHz，250~300W，低频频率和功率为2MHz，250~300W，刻蚀时间为10~20min。