[发明专利]一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置及方法

摘要

本发明涉及一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置及方法。该装置包括内、外两个石英坩埚，还包括固定器，石英坩埚上方设有导流筒，固定器置于导流筒的内壁上，内石英坩埚通过固定器居中固定在外石英坩埚中。其方法是：在装料时，分别在两个坩埚的物料中放入定量掺杂剂，使两个坩埚内硅熔体的掺杂剂浓度为C0，物料熔化后，再对内石英坩埚内的硅熔体进行补充掺杂剂，使内石英坩埚内硅熔体的掺杂剂浓度提高到C0/k，然后进行拉晶、引晶、等径过程。本发明可以有效提高单晶径向电阻率均匀性，使径向电阻率变化降低至5%～8%；可以大大提高单晶纵向电阻率的均匀性，使之基本维持一个恒定值，从而提高了合格品入档率。

主权项

一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置，包括石英坩埚，石英坩埚上方设有导流筒（1），其特征在于：还包括固定器（2），所述石英坩埚是两个石英坩埚，分别为外石英坩埚（4）和内石英坩埚（7），所述固定器（2）置于导流筒（1）的内壁上，内石英坩埚（7）通过固定器（2）居中固定在外石英坩埚（4）中。