[发明专利]超级结半导体器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201110092102.7 | 申请日： | 2011-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102412296A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 王邦麟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超级结半导体器件结构，包括N型衬底，从N型衬底背面引出的漏极，所述N型衬底上方分为元胞区域与终端区域；在元胞区域中的N型衬底上方形成有N-外延层，该N-外延层中形成有多个沟槽，在沟槽中形成有P型外延层；其中，终端区域中N型衬底上具有一绝缘氧化层，该绝缘氧化层上具有第二N型衬底，该第二N型衬底上具有N-外延层。本发明还公开了所述器件结构的制作方法。本发明能够减少超级结半导体器件结构中终端环的数量，缩小超级结半导体器件结构所占用芯片的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 半导体器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种超级结半导体器件结构，包括：N型衬底，从该N型衬底背面引出的漏极，所述N型衬底上方分为元胞区域与终端区域；所述元胞区域中，所述N型衬底上端设有N‑外延层，在该N‑外延层中具有多个沟槽，所述沟槽内填充有P型外延层；其特征是：在所述终端区域中，所述N型衬底上端具有一绝缘氧化层，该绝缘氧化层上端具有第二N型衬底，该第二N型衬底上端具有N‑外延层，该N‑外延层中具有多个沟槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110092102.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：串形鞭炮燃放防护网罩
- 下一篇：粘稠物料灌装机
- 同类专利
- 专利分类
