[发明专利]非水电解质二次电池用负极材料及其制造方法以及锂离子二次电池有效

专利信息
申请号: 201110085977.4 申请日: 2011-04-02
公开(公告)号: CN102214824A 公开(公告)日: 2011-10-12
发明(设计)人: 川田敦雄 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/139;H01M10/0525
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 菅兴成;吴小瑛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种非水电解质二次电池用负极材料的制造方法,其是在有机物气体及/或蒸汽环境下,以800℃以上1300℃以下的温度进行热CVD处理,以此来对包含氧化硅和硅-硅氧化物系复合体中至少一者的粉末的表面,覆盖碳并使覆盖量相对于粉末为1~40质量%,在将覆盖碳后的粉末与氢化锂及/或氢化锂铝混合之后,以200℃以上800℃以下的温度加热,向覆盖碳后的粉末中掺杂锂,并使锂相对于粉末的掺杂量为0.1~20质量%,其中氧化硅是由SiOx(x=0.5~1.6)表示的氧化硅,硅-硅氧化物系复合体具有粒径为50nm以下的硅以原子级及/或微晶体状态分散于硅氧化物中的结构,且Si∶O=1∶0.5~1.6。
搜索关键词: 水电 二次 电池 负极 材料 及其 制造 方法 以及 锂离子
【主权项】:
一种非水电解质二次电池用负极材料,是使用非水电解质的二次电池用负极材料,其特征在于,至少包括:硅‑硅氧化物系复合体,其具有粒径为0.5~50nm的硅以原子级及/或微晶体状态分散于硅氧化物中的结构,且Si/O的摩尔比为1/0.5~1.6;及碳覆膜,其以相对于该硅‑硅氧化物系复合体的覆盖量为1~40质量%地覆盖该硅‑硅氧化物系复合体的表面;并且至少以相对于所述硅‑硅氧化物系复合体的掺杂量为0.1~20质量%地掺杂有锂,且在Cu‑K α线的X射线衍射中,归属于2θ=35.8±0.2°的SiC的峰强度I(SiC)与归属于2θ=28.4±0.2°的Si的峰强度I(Si)的比I(SiC)/I(Si),满足I(SiC)/I(Si)≤0.03的关系。
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