[发明专利]一种表面集成石墨烯的碳微结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110079747.7 | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102180439A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 汤自荣;刘丹;史铁林;张雷;习爽 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;C01B31/04;B81B7/04 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种表面集成石墨烯的碳微结构的制备方法，其步骤包括：(1)图案化有机聚合物微结构；(2)在所得有机聚合物微结构上沉积碳材料层或金属层薄膜；(3)热解所得沉积薄膜结构的有机聚合物，即可获得表面集成石墨烯的碳微结构。本发明的方法工艺简单，成本低廉，所得大表面积结构可以用在微电池，超级电容等方面，极大的改进性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 集成 石墨 微结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种表面集成石墨烯的碳微结构的制备方法，其步骤包括：(1) 图案化有机聚合物微结构；(2) 在所得有机聚合物微结构上沉积碳材料层或金属层薄膜，得到具有薄膜结构的有机聚合物；(3) 热解所述薄膜结构的有机聚合物，即可获得表面集成石墨烯的碳微结构。
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