[发明专利]一种垂直结构发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201110074979.3 | 申请日： | 2011-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102709427A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 纪涛;郭德博;张华东;刘刚 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种垂直结构发光二极管及其制备方法，涉及光电技术领域。本发明发光二极管包括衬底，在衬底上方依次叠加的反射金属层、P型半导体层、量子阱有源区和N型半导体层。P型半导体层、量子阱有源区和N型半导体层的侧壁以及N型半导体层的顶面覆盖有绝缘保护层，N型半导体层上置有两个N型电极。其结构特点是，所述衬底上的一端置有与N型电极同方向的第三电极。本发明在芯片的N面形成了一个新的第三电极作为测试电极，实现了对垂直芯片的大规模、高效率测试，测量数据准确。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直结构发光二极管，它包括衬底（107），在衬底（107）上方依次叠加的反射金属层（105）、P型半导体层（104）、量子阱有源区（103）和N型半导体层（102），P型半导体层（104）、量子阱有源区（103）和N型半导体层（102）的侧壁以及N型半导体层（102）的顶面覆盖有绝缘保护层（108），N型半导体层（102）上置有两个N型电极（109），其特征在于，所述衬底（107）上的一端置有与N型电极（109）同方向的第三电极（110）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同方光电科技有限公司，未经同方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110074979.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
