[发明专利]一种三维电阻抗断层成像系统性能测试方法与装置无效

专利信息
申请号: 201110074927.6 申请日: 2011-03-28
公开(公告)号: CN102138790A 公开(公告)日: 2011-08-03
发明(设计)人: 沙洪;邓娟;赵舒;王妍;王磊;任超世 申请(专利权)人: 中国医学科学院生物医学工程研究所
主分类号: A61B5/053 分类号: A61B5/053
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300192 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明实施例公开了一种三维电阻抗断层成像系统性能测试装置,构建一个以正方体为最小单元的N层空间电阻网络(N为大于3的正整数),模拟三维被测场域。每个正方体的每条棱上都安置一个阻值相等的电阻,模拟EIT成像中的均匀场。从空间电阻网络中选取一个正方体单元,从该单元和与其相邻的6个单元的各顶点引出导线并联电阻,改变空间电阻网络的电导率,模拟EIT成像中的非均匀场。计算场域的电导率变化,获取空间电阻网络均匀场和非均匀场的标准图像。用待测三维EIT成像系统对本发明装置进行三维激励和测量,以改进的灵敏度系数算法进行三维图像重建,并与标准图像对比,实现对不同的三维电阻抗断层成像系统的测试和评价。
搜索关键词: 一种 三维 阻抗 断层 成像 系统 性能 测试 方法 装置
【主权项】:
一种三维EIT成像系统的性能测试装置,其特征在于,构建一个以正方体为最小单元的N层的空间电阻网络(N为正整数,N>=4),模拟EIT成像中的三维被测场域,正方体的每条棱上都安置一个阻值相等的电阻,模拟EIT成像中的均匀场,从上述空间电阻网络中选取一个正方体并在其每条棱上并联一个电阻,改变空间电阻网络的电导率模拟EIT成像中的非均匀场,计算场域的电导率变化,得到空间电阻网络均匀场和非均匀场的电导率分布标准图像,用实际的三维EIT成像系统对变化前后的电阻网络装置进行激励和测量,重建电阻网络的三维图像,将重建的图像与上述装置的标准图像对比,定量评价三维EIT系统的性能。
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