[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201110073885.4 | 申请日： | 2011-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102208496A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 平尾直树;三浦祐哉 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了制造半导体器件的方法，该器件包括具有高精度厚度的氮化物半导体层。该方法包括下列步骤：在衬底上形成氮化镓(GaN)层，该层的主表面是+c表面；通过对GaN层的+c表面中的局部区域选择性地向下刻蚀，来形成沟槽；形成金属层以掩埋沟槽；将衬底与GaN层分离，此后，对GaN层的-c表面进行抛光直到暴露出金属层，并除去GaN层的厚度方向上的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在衬底上形成氮化镓(GaN)层，该层的主表面是+c表面；通过对所述GaN层的+c表面中的局部区域选择性地向下刻蚀，来形成沟槽；形成金属层以掩埋所述沟槽；以及将所述衬底与所述GaN层分离，此后，对所述GaN层的‑c表面进行抛光直到暴露出所述金属层，并除去所述GaN层的厚度方向上的一部分。
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