[发明专利]半导体发光芯片有效
| 申请号： | 201110073533.9 | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102694098A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 曾坚信 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光芯片，其包括基板、设置在该基板上的发光结构层及第一电极。所述发光结构层包括依次排布的第一半导体层、发光层及第二半导体层，该发光结构层内还形成有至少一离子注入区，该离子注入区由所述第二半导体层底面贯穿发光层并延伸至第一半导体层内部，各离子注入区内开设有由第二半导体层底面贯穿至第一半导体层内部的容置槽。所述第一电极包括设置在基板与发光结构层之间的基底及由基底延伸而出的至少一连接部，该至少一连接部对应地设置于容置槽内并与第一半导体层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 芯片 | ||
【主权项】：
一种半导体发光芯片，其包括基板及设置在该基板上的发光结构层，所述发光结构层包括依次排布的第一半导体层、发光层及第二半导体层，其特征在于：该发光结构层内还形成有至少一离子注入区，该离子注入区由所述第二半导体层底面贯穿发光层并延伸至第一半导体层内部，各离子注入区内开设有由第二半导体层底面贯穿至第一半导体层内的容置槽，所述半导体发光芯片还包括第一电极，所述第一电极包括设置在基板与发光结构层之间的基底及由基底延伸而出的至少一个连接部，该至少一连接部对应地设置于容置槽内并与第一半导体层电连接。
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