[发明专利]交叉整流的输入并联输出并联组合变换器无效
申请号: | 201110072335.0 | 申请日: | 2011-03-24 |
公开(公告)号: | CN102130599A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 石健将;罗劼;程娟 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 周烽 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种交叉整流的输入并联输出并联组合变换器,其主电路包括整流输出交叉连接的两个隔离型桥式模块电路;每个桥式模块电路由一个半桥或带隔直电容的全桥电路、一个高频变压器、一个整流电路和一个输出滤波电感构成,半桥或全桥电路与变压器原边相连,整流电路与变压器副边相连,整流输出交叉连接两个输出滤波电感。桥式电路的输入端并联且输出滤波电感输出端并联。本发明通过交叉整流电路来抵消电路参数不一致造成的整流输出电压不一致,实现两个输出滤波电感的自然均流,同时实现两个桥式电路的输入自然均流,不需要添加均流控制环,不需要对桥式电路进行电流采样,极大简化了控制,并提高了组合变换器的功率密度和可靠性,降低了成本。 | ||
搜索关键词: | 交叉 整流 输入 并联 输出 组合 变换器 | ||
【主权项】:
一种交叉整流的输入并联输出并联组合变换器,其特征是:其主电路包括整流输出交叉连接的两个隔离型桥式模块电路;开关管为金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)或者绝缘双极晶体管(IGBT);所述两个隔离型桥式模块电路由两个半桥或带隔直电容的全桥电路、两个高频隔离变压器、两个输出滤波电感和两个交叉整流电路构成,所述半桥或全桥电路与所述高频隔离变压器原边相连,所述交叉整流电路一端与所述变压器副边相连,另一端与输出滤波电感相连;两个所述半桥或全桥电路的输入端并联且两个所述输出滤波电感输出端并联。
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