[发明专利]半导体晶片背面研磨控制系统及背面研磨方法有效

专利信息
申请号: 201110070909.0 申请日: 2011-03-21
公开(公告)号: CN102441840A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 卢祯发;李江浩;陈威宇;刘重希 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: B24B37/005 分类号: B24B37/005;H01L21/00;H01L21/304;H01L21/66
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张浴月;刘文意
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 在控制晶片背面研磨的系统及背面研磨方法中,采用的工作台具有表面,可在背面研磨工艺中支撑半导体晶片。工作台表面中具有一个或多个孔洞,而位于这些孔洞中的一个或多个传感器可监测背面研磨的参数。计算机工艺控制工具可耦接至传感器以接收其输出信号,并以输出信号为依据控制背面研磨工艺。本发明的控制晶片背面研磨的系统和方法能有效减小工艺缺陷并使得半导体晶片在背面研磨工艺中保持厚度一致。
搜索关键词: 半导体 晶片 背面 研磨 控制系统 方法
【主权项】:
一种半导体晶片背面研磨的控制系统,包括:一工作台,具有一表面以在一背面研磨工艺时支撑一半导体晶片,其中该工作台具有一个或多个孔洞定义于该表面中;一个或多个传感器位于该一个或多个孔洞中以监测该背面研磨工艺的参数;以及一计算机工艺控制工具,耦接至该一个或多个传感器以接收一个或多个输出信号,并以该一个或多个输出信号为基准控制该背面研磨工艺。
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