[发明专利]ULSI多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光的组合物有效
| 申请号： | 201110065350.2 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102181232A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 路新春;戴媛静;刘宇宏;潘国顺;雒建斌 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种ULSI多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光的组合物，属于化学机械抛光水性组合物领域。本发明提供了适用于在至少小于1.0Psi(6.89kPa)的下压力下抛光半导体晶片上铜的水性组合物，该组合物含有磨料、氧化剂、pH调节剂、缓蚀剂和水，主要还含有适用于低下压力弱机械作用情况下的含硫腐蚀平衡剂。采用本发明提供的抛光组合物对超大规模集成电路多层铜布线中的铜进行低下压力抛光，具有高平滑化效率和高抛光速率，能最大限度的避免抛光缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | ulsi 多层 布线 低下 压力 化学 机械抛光 组合 | ||
【主权项】：
一种ULSI多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光组合物，含有磨料、氧化剂、pH调节剂、缓蚀剂和水，其特征在于，该组合物还含有适用于低下压力弱机械作用情况下的含硫腐蚀平衡剂；磨料优选为胶体二氧化硅；氧化剂优选为过氧化氢；pH调节剂优选为无机或有机酸碱，如氢氧化钾、氨水、甘氨酸、柠檬酸、柠檬酸铵等；缓蚀剂优选为苯并三氮唑(BTA)；腐蚀平衡剂优选为过硫酸铵和木质素磺酸钠的混合物；水为去离子水或蒸馏水。
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