[发明专利]一种优化被照式红外探测器微透镜列阵聚光能力的方法无效
| 申请号: | 201110063598.5 | 申请日: | 2011-03-16 |
| 公开(公告)号: | CN102201487A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
| 发明(设计)人: | 胡伟达;郭楠;叶振华;陈勇国;陈效双;陆卫 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;G02B3/00 |
| 代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
| 地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种优化锑化铟红外焦平面探测器背向集成微透镜列阵聚光能力的方法,该方法是通过器件模拟和理论计算发现将光聚焦在距离锑化铟与硅界面处2.75倍的吸收长度位置上可以很好地改善器件性能,并且根据所得结果将微透镜直接刻蚀在锑化铟红外焦平面探测器的背面衬底上,进而为优化锑化铟红外焦平面探测器背向集成微透镜列阵的聚光能力提供了依据。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 优化 被照式 红外探测器 透镜 列阵 聚光 能力 方法 | ||
【主权项】:
一种优化锑化铟红外焦平面探测器背向集成微透镜列阵聚光能力的方法,其特征在于:集成微透镜列阵将光聚焦到距离锑化铟与硅界面处2.75倍的吸收长度位置上时器件性能达到最佳。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





