[发明专利]具有隧穿介质层的栅控肖特基结场效应晶体管及形成方法有效
| 申请号： | 201110061729.6 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102148255A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 梁仁荣;许军;赵梅;王敬 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种具有隧穿介质层的栅控肖特基结场效应晶体管，包括：衬底；形成在所述衬底之中的沟道区，所述沟道区为第一半导体材料；形成在所述衬底中且与所述沟道区的一端相邻的金属源区；形成在所述金属源区与所述沟道区之间的隧穿介质层，其中，所述金属源区-隧穿介质层-沟道区形成金属-介质-半导体隧穿结，并且该隧穿结具有整流特性；形成在所述衬底中且与所述沟道区的另一端相邻的漏区，其中，所述漏区为第二半导体材料；和形成在所述沟道区之上的栅堆叠。本发明提出的半导体结构的基本工作原理是由栅极电压的改变来实现肖特基结与隧道结之间的高速切换，因此具有更优的开关特性和高频特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 介质 栅控肖特基结 场效应 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种具有隧穿介质层的栅控肖特基结场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之中的沟道区，所述沟道区为第一半导体材料；形成在所述衬底中且与所述沟道区的一端相邻的金属源区；形成在所述金属源区与所述沟道区之间的隧穿介质层，其中，所述金属源区‑隧穿介质层‑沟道区形成金属‑介质‑半导体隧穿结，并且该隧穿结具有整流特性；形成在所述衬底中且与所述沟道区的另一端相邻的漏区，其中，所述漏区为第二半导体材料；和形成在所述沟道区之上的栅堆叠。
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