[发明专利]改善的半绝缘III族金属氮化物及其制造方法无效
| 申请号： | 201110061625.5 | 申请日： | 2011-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102191552A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 马克·P·德伊夫林 | 申请（专利权）人： | SORAA有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B29/40;H01L21/18;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供可用作制造用于电子和/或光电子应用的GaN器件的衬底的大面积、高纯度、低成本单晶半绝缘氮化镓。所述氮化镓通过在氨热生长过程中以深受体掺杂剂物质例如Mn、Fe、Co、Ni、Cu等掺杂氮化镓材料以补偿氮化镓中的供体物质，并且赋予氮化镓的半绝缘特性而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 绝缘 iii 金属 氮化物 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种含氮化镓晶体，包括：长度大于约5毫米的结晶衬底元件；基本为纤锌矿结构，该结构的特征在于基本不含其他晶体结构，所述其他结构与所述基本纤锌矿结构的体积相比小于约1体积％；大于约1015cm‑3的Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、F和Cl至少之一的杂质浓度；和电阻大于约107Ω‑cm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于SORAA有限公司，未经SORAA有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110061625.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有多功能的清洁器
- 下一篇：图像传感器的延伸的景深
