[发明专利]一种带副室结构的泡生法晶体生长炉无效
| 申请号： | 201110061052.6 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102677158A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 廖永建;徐炜;沈禹;孙矿 | 申请（专利权）人： | 上海晨安电炉制造有限公司 |
| 主分类号： | C30B17/00 | 分类号： | C30B17/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201804 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带副室结构的泡生法晶体生长炉，属于晶体生长设备技术领域。本发明所提供的泡生法晶体生长炉在主室和提拉旋转装置间设置副室，通过真空阀门的切换，主室与副室可连通或成为独立腔体，在副室内可进行籽晶安装、二次加料等操作。可在晶体生长过程尤其是晶体生长早期出现各种异常情况如籽晶碎裂、籽晶长度不足、熔体表面有杂质漂浮物、接种效果不良、初期晶体碎裂或其它不理想状况时，在主室处于高温状态下即可进行及时处理，无需像常规泡生法晶体生长炉需要高温停炉处理，不仅有效节省了时间和能耗，还有效避免了高温反复冲击对热场结构与坩埚的损伤，提高了热场的稳定性和重复性，大大节省了生产成本，有效地提高了成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带副室 结构 泡生法 晶体生长 | ||
【主权项】：
一种带副室结构的泡生法晶体生长炉，主要包括副室(1)、主室(3)、水冷电极(4)、真空管道(5)、发热体(6)、坩埚(7)、坩埚支撑系统(10)、下部保温层(11)、侧部保温层(12)、籽晶杆(14)、上保温层(15)、真空阀门(17)和提拉旋转装置(20)等，其特征在于副室(1)通过真空阀门(17)与主室(3)连接，坩埚(7)放置在坩埚支撑系统(10)上，发热体(6)在坩埚(7)外且位于上保温层(15)、下部保温层(11)、侧部保温层(12)内，主室(3)设有主室观察孔(16)便于观察籽晶(13)、籽晶杆(14)、晶体(8)及熔体(9)的状态，籽晶杆(14)由提拉旋转装置(20)驱动，可升降和旋转。
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