[发明专利]一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201110060470.3 | 申请日： | 2011-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102185103A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李润伟;胡本林;诸葛飞;潘亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法，该存储单元包括绝缘衬底，绝缘衬底表面设置第一电极，第一电极表面设置中间层，中间层的表面设置第二电极，在第一电极和第二电极之间施加电脉冲时该存储单元具有电阻转变特性，该中间层由厚度范围是5nm～500nm的聚西佛碱薄膜形成。与现有技术相比，本发明采用聚西佛碱作为随机存储器存储单元的中间层，在直流电压连续扫描激励下表现出优异的高低阻态之间的转变和记忆特性，其高低电阻态间的差值可大于1012倍，在连续1010次高低阻态循环的过程中，高低阻态的电阻值表现出较好的稳定性，置位电压和复位电压表现出很好的稳定性，这些特性表明本发明在存储器件领域具有潜在的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 随机 存储器 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻型随机存储器的存储单元，包括绝缘衬底，绝缘衬底表面设置第一电极，第一电极表面设置中间层，中间层的表面设置第二电极，在第一电极和第二电极之间施加电脉冲时该存储单元具有电阻转变特性，其特征是：所述的中间层由聚西佛碱薄膜形成，聚西佛碱薄膜的厚度范围是5nm～500nm。
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