[发明专利]具有发光特性的电阻存储器件及其操作方法和应用有效
| 申请号： | 201110059937.2 | 申请日： | 2011-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102185102A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张培健;赵宏武;潘新宇;孟洋;刘紫玉;李栋;孟庆宇;杨丽丽;梁学锦;陈东敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电阻存储器件，包括：底电极；底电极上的介质层；介质层上的顶电极，其中介质层为具有电阻转变和发光特性的材料，底电极和顶电极中的至少一个对介质层所发出的光透明。本发明还提供一种根据本发明的电阻存储器件的操作方法，包括：在底电极和顶电极上施加电压，以将该器件的阻态设置为低阻态或高阻态；在不会使该器件的阻值翻转的电压范围内选择某一电压，且该电压能使该介质层发光；通过透明的底电极或顶电极引出介质层所发出的光；利用介质层发出的光的波长分布识别该器件的阻态。本发明还提供了一种显示器件及其操作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 发光 特性 电阻 存储 器件 及其 操作方法 应用 | ||
【主权项】：
一种电阻存储器件，包括：底电极；底电极上的介质层；介质层上的顶电极，其中介质层为具有电阻转变和发光特性的材料，底电极和顶电极中的至少一个对介质层所发出的光透明。
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