[发明专利]可编程阻断型浪涌保护器件无效
申请号: | 201110058846.7 | 申请日: | 2011-03-11 |
公开(公告)号: | CN102176616A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 苏海伟;张关保;王永录;叶力;吴兴农 | 申请(专利权)人: | 上海长园维安微电子有限公司 |
主分类号: | H02H3/20 | 分类号: | H02H3/20 |
代理公司: | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人: | 董梅;李颖薇 |
地址: | 201207 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及可编程阻断型浪涌保护器件,包括第一、第二、第三耗尽型场效应晶体管、第一、第二及外部电阻构成串联结构的导通路径,其中,第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连,源极与外部电阻的第一接入端相连,栅极与第二晶体管的源极相连;第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连,源极与第三耗尽型场效应晶体管的漏极相连,栅极与第一晶体管的源极相连;第三晶体管的源极与外部电阻的第二接入端相连,栅极与第一、第二电阻分别相连;第一电阻的另一端与模块输入端相连,第二电阻的另一端与模块输出端相连。本发明形成类似于可重置保险丝的可变电阻电路,实现器件触发电流的可编程应用,提升保护器件应用的灵活性。 | ||
搜索关键词: | 可编程 阻断 浪涌保护器 | ||
【主权项】:
一种可编程阻断型浪涌保护器件,由耗尽型场效应晶体管和电阻构成,其特征在于:所述的浪涌保护器件包括第一耗尽型场效应晶体管(Q1)、第二耗尽型场效应晶体管(Q2)、第三耗尽型场效应晶体管(Q3)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)及外部电阻(Rex)构成串联结构的导通路径,其中,第一耗尽型场效应晶体管(Q1)的漏极与模块输入端相连,源极与外部电阻(Rex)的第一接入端相连,栅极与第二耗尽型场效应晶体管(Q2)的源极相连;第二耗尽型场效应晶体管(Q2)的漏极与模块输出端相连,源极与第三耗尽型场效应晶体管(Q3)的漏极相连,栅极与第一耗尽型场效应晶体管(Q1)的源极相连;第三耗尽型场效应晶体管(Q3)的源极与外部电阻(Rex)的第二接入端相连,栅极与第一电阻(R1)和第二电阻(R2)分别相连;第一电阻(R1)的另一端与模块输入端相连,第二电阻(R2)的另一端与模块输出端相连。
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